买卖IC网 >> 产品目录 >> IPI020N06NAKSA1 MOSFET MV POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IPI020N06NAKSA1

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET MV POWER MOS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET MV POWER MOS
IPI020N06NAKSA1 PDF下载
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 60 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 120 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 2 Ohms
配置
最大工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 PG-TO262-3
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 IPI020N06NAKSA1
IPI023NE7N3 G
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  • IPI020N06NAKSA1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价